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本公開(kāi)涉及發(fā)光元件、顯示裝置。、在發(fā)光元件中，為了提高對(duì)發(fā)光層的電子注入效率，優(yōu)選使用功函數(shù)小的金屬電極作為電極。然而，金屬電極的光透射率、即光提取效率差。因此，例如在專(zhuān)利文獻(xiàn)中，公開(kāi)了通過(guò)設(shè)置貫通金屬電極層的多個(gè)開(kāi)口部，以高水平兼顧金屬電極層的透光性和導(dǎo)電性的顯示裝置。、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)、專(zhuān)...

本公開(kāi)涉及顯示，具體地，涉及一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置。、有機(jī)發(fā)光二極管（oled，organic?light-emitting?diode）是一種有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件，其因具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、功耗小、亮度高、視角寬、對(duì)比度高及可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)，而受到人們極大的關(guān)注并在電...

本發(fā)明涉及液冷散熱，具體而言，涉及一種數(shù)據(jù)中心機(jī)房液冷循環(huán)節(jié)能控制方法及系統(tǒng)。、在數(shù)據(jù)中心機(jī)房液冷技術(shù)快速發(fā)展的當(dāng)下，隨著高密度計(jì)算設(shè)備的大規(guī)模部署與綠色節(jié)能需求的日益迫切，液冷控制面臨著諸多亟待解決的技術(shù)挑戰(zhàn)，傳統(tǒng)的液冷控制主要依賴于固定的參數(shù)控制或人工經(jīng)驗(yàn)調(diào)整冷卻參數(shù)，且電力消耗較大。...

本發(fā)明涉及毫米波集成電路，尤其涉及一種基于注入鎖定技術(shù)的超寬帶超低功耗四倍頻器電路。本電路輸出信號(hào)功率穩(wěn)定，鎖定帶寬極大，不引人額外的相位噪聲，總功耗僅為傳統(tǒng)毫米波四倍頻器的四分之一。、?在毫米波波段，傳統(tǒng)倍頻器存在若干技術(shù)問(wèn)題，例如：（）帶寬有限，無(wú)法在至?ghz全頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定倍頻，存...

本申請(qǐng)涉及功率二極管陣列集成化，進(jìn)一步地涉及到功率瞬態(tài)管陣列集成化，尤其涉及一種大功率瞬態(tài)管集成化方法及其集成化結(jié)構(gòu)。、在當(dāng)今飛速發(fā)展的電子信息時(shí)代，各類(lèi)電子設(shè)備如智能手機(jī)、筆記本電腦、汽車(chē)電子系統(tǒng)以及工業(yè)控制設(shè)備等，在人們的生活和生產(chǎn)中扮演著愈發(fā)重要的角色。這些電子設(shè)備內(nèi)部電路高度精密且...

本發(fā)明屬于集成電路集成及測(cè)試，進(jìn)一步來(lái)說(shuō)涉及晶體管陣列器件集成及測(cè)試領(lǐng)域，具體來(lái)說(shuō)，涉及多通道高壓大電流晶體管陣列及其可靠性試驗(yàn)方法和電路。、在半導(dǎo)體技術(shù)迅猛發(fā)展的當(dāng)下，隨著集成電路集成度的不斷攀升以及電子產(chǎn)品功能的日益復(fù)雜多元，對(duì)其中關(guān)鍵組件的性能和可靠性提出了極為嚴(yán)苛的要求。多通道高壓...

本發(fā)明涉及一種具有徑向約束磁場(chǎng)的射頻等離子體發(fā)生裝置，屬于離子體發(fā)生裝置。、電感耦合等離子體源(inductively?coupled?plasma?sources,icp)是一種典型的射頻等離子體發(fā)生裝置，射頻等離子體發(fā)生裝置廣泛的用于半導(dǎo)體微加工工藝和功能性薄膜沉積等領(lǐng)域。在等離子體系...

本發(fā)明屬于變頻控制，具體涉及一種帶并聯(lián)電輔熱電阻的溫控器的通斷信號(hào)獲取電路，主要用于使用這種溫控器和變頻控制器的制冷器具，根據(jù)其通斷信號(hào)控制壓縮機(jī)的運(yùn)行。、傳統(tǒng)家用電冰箱和商用冷柜等各種制冷器具，在使用單相交流電源供電的情況下，大多是由一個(gè)溫控器控制一個(gè)單相感應(yīng)式交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的制冷壓縮機(jī)實(shí)...

本發(fā)明涉及電路板，尤其涉及一種電路板制備方法及鏤空顯示面板。、傳統(tǒng)led顯示屏燈面焊盤(pán)主要為nsmd設(shè)計(jì)或smd設(shè)計(jì)，常規(guī)是按平面方式進(jìn)行布局，側(cè)壁通過(guò)拼接方式進(jìn)行遮掩，led顯示屏最外圍有用底殼箱體邊框進(jìn)行遮蓋。而創(chuàng)意透明格柵屏因需要保證透光率，故而在一定數(shù)量的燈珠之間需要進(jìn)行鏤空設(shè)計(jì)。...

本發(fā)明屬于高溫紅外加熱器件制備，更具體地，涉及一種弱ptc效應(yīng)光子晶體高溫紅外器件及其制備方法。、高溫電加熱技術(shù)(℃以上加熱)具有安全可控、環(huán)保節(jié)能的特點(diǎn)，是人類(lèi)社會(huì)實(shí)現(xiàn)高溫條件的主要技術(shù)方式，廣泛應(yīng)用家用電器、冶金鍛造、化工催化、航空航天等領(lǐng)域，目前市面上常見(jiàn)的高溫加熱產(chǎn)品主要采用電熱管...

本發(fā)明屬于光伏領(lǐng)域，具體涉及一種鈍化層、倒置組件、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及制備方法。、在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中，鈣鈦礦材料容易產(chǎn)生界面缺陷，這些缺陷會(huì)成為載流子的復(fù)合中心，降低光電轉(zhuǎn)換效率。特別是鈣鈦礦吸收層與c電子傳輸層之間的界面缺陷會(huì)嚴(yán)重影響鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的性能。、因此，亟需開(kāi)發(fā)一種可鈍化界面...

本申請(qǐng)涉及顯示，特別是涉及一種顯示面板、顯示裝置以及顯示面板的制備方法。、主動(dòng)發(fā)光有機(jī)二極管顯示面板(amoled)通常使用蒸鍍工藝制作，為降低成本和工藝難度，蒸鍍的有機(jī)層中的部分層會(huì)使用一般金屬掩膜版進(jìn)行整面的蒸鍍，這部分層被稱為共通層。、當(dāng)驅(qū)動(dòng)某個(gè)子像素發(fā)光時(shí)，如綠色子像素，因?yàn)楣餐▽?..

本發(fā)明涉及濾波器，具體涉及一種具有鉚釘結(jié)構(gòu)的ltcc濾波器電子元件及制備方法。、ltcc設(shè)計(jì)是一種d設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)利用電容和電感組合，各層電路設(shè)計(jì)及通孔電極導(dǎo)通需求，以傳統(tǒng)多層陶瓷工藝進(jìn)行后工藝加工的制備工藝?，F(xiàn)有技術(shù)中先利用流延卷狀生瓷帶進(jìn)行裁片工藝，形成片狀生瓷帶，再通過(guò)激光打孔、利用金屬膏...

本發(fā)明涉及一種微型發(fā)光二極管制造工藝，特別涉及一種非晶圓陣列模組鍵合方法。、micro-led（微型發(fā)光二極管）是一種新興的顯示技術(shù)，通過(guò)微小的led芯片作為獨(dú)立像素單元，實(shí)現(xiàn)高亮度、廣色域、低功耗和長(zhǎng)壽命的顯示性能。然而，由于micro-led芯片尺寸極小且需要高密度排列，其與驅(qū)動(dòng)電路的...

本發(fā)明涉及物聯(lián)網(wǎng)與嵌入式系統(tǒng)，尤其涉及一種基于嵌入式板卡的數(shù)據(jù)采集方法及系統(tǒng)。、隨著物聯(lián)網(wǎng)(iot)技術(shù)的迅猛發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)在工業(yè)監(jiān)控、環(huán)境監(jiān)測(cè)和智能城市等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，嵌入式板卡面臨諸多挑戰(zhàn)，如數(shù)據(jù)傳輸效率低下、網(wǎng)絡(luò)延遲和數(shù)據(jù)丟失等問(wèn)題，影響系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性和可靠性。特...

本發(fā)明創(chuàng)造涉及l(fā)ed封膠，特別是涉及一種led封膠裝置、顯示單元及封膠方法。、近年來(lái)隨著led封裝大廠產(chǎn)能的釋放，封裝器件價(jià)格持續(xù)下滑，行業(yè)集中度逐步增強(qiáng)，?邁入寡頭效應(yīng)凸顯、規(guī)?；嫔a(chǎn)、技術(shù)快速更迭的新階段，高質(zhì)量發(fā)展成為未來(lái)進(jìn)階的主要方向。如何提升產(chǎn)品高附加值、高毛利比重是led封...

本發(fā)明涉及電光裝置和電子設(shè)備。、作為顯示元件，已知有例如使用oled的電光裝置。oled是organic?lightemitting?diode(有機(jī)發(fā)光二極管)的簡(jiǎn)稱。這樣的發(fā)光元件是由像素電極和公共電極夾持著發(fā)光功能層的結(jié)構(gòu)。對(duì)公共電極要求透明性，但在具有透明性的導(dǎo)電材料中，通常存在電...

本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體裝置，并且更具體地說(shuō)，涉及包括豎直溝道晶體管的半導(dǎo)體裝置。、半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)規(guī)則的減少導(dǎo)致了制造技術(shù)的發(fā)展以增大半導(dǎo)體裝置的集成度、操作速度和制造產(chǎn)率。因此，已經(jīng)提出了具有豎直溝道的晶體管，以增大它們的集成度、電阻、電流驅(qū)動(dòng)能力等。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例可...

本發(fā)明涉及一種倒裝式發(fā)光二極管及其制造方法，尤指一種提高發(fā)光面積并降低電流密度的倒裝式發(fā)光二極管及其制造方法。、如圖所示，傳統(tǒng)倒裝式發(fā)光二極管(flip-chip?led)主要將p金屬電極及n金屬電極設(shè)置在半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及電流傳導(dǎo)層下方(即朝向圖面下方)，并于電流傳導(dǎo)層上方覆蓋透明基板，使...

本公開(kāi)涉及發(fā)光裝置和具有該發(fā)光裝置的圖像顯示裝置。、例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)公開(kāi)了一種微型led，該微型led通過(guò)用具有多個(gè)開(kāi)口的掩模層覆蓋晶體生長(zhǎng)基板并且通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（mocvd）選擇性地生長(zhǎng)具有第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二半導(dǎo)體層的一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體棒而形成。、引用列...